AOP-UVR405 系列负性光刻胶
适用于 405 nm 激光直写的高透明负性光刻胶产品
AOP-UVR405 系列是一款面向微系统技术、微纳光学与快速原型加工场景开发的化学放大型负性光刻胶，兼具高可见光透过率、良好热稳定性、优异干/湿法刻蚀耐受性和宽膜厚覆盖能力，适合用于 405 nm 激光直写、i-line / 390 nm / 405 nm LED 或宽谱紫外曝光工。
AOP-UVR405 系列是一款面向微系统技术、微纳光学与快速原型加工场景开发的化学放大型负性光刻胶，兼具高可见光透过率、良好热稳定性、优异干/湿法刻蚀耐受性和宽膜厚覆盖能力，适合用于 405 nm 激光直写、i-line / 390 nm / 405 nm LED 或宽谱紫外曝光工。
强附着、低残留的先进化学方案
AOP-A-010 的主要成分为羟基硅烷。在旋涂到衬底表面后,其硅烷基团(-Si-OH)与衬底表面的羟基(-OH)或反应,形成稳定的 Si-O 共价键,取代原有亲水官能团,如下图 1 所示,这一过程在衬底表面形成一层极薄的(约 15nm)硅烷偶联层,增强了光刻胶与衬底的化学结合力。
专为 405 nm 直写曝光优化，可兼容 400 nm 以上宽谱紫外工艺。
适合微光学、MEMS、微结构快速打样与中小批量工艺验证。
可作为干法或湿法刻蚀掩膜使用，并支持后续热处理强化。
适用于激光直写系统，可支持非接触式快速原型制造。
可用作后续干法/湿法刻蚀步骤中的保护层或掩膜层。
适合微透镜、光学支撑结构、光波导相关微结构等应用。
从薄膜精细结构到中厚膜高深宽比结构均可覆盖。
图形经后处理后可在较高温度环境下保持结构稳定。
可适配常见旋涂、热板、掩模曝光及直写设备平台。
| 型号 | 推荐膜厚范围 (μm) | 折射率 nD25 | 密度 (g/cm³) | 典型应用 |
|---|---|---|---|---|
| AOP-UVR405.05 | 0.5-1 | 1.520 ± 0.002 | 1.205 ± 0.002 | 薄膜精细图形、微细线条、小尺寸光学结构 |
| AOP-UVR405.1 | 1-10 | 1.542 ± 0.002 | 1.225 ± 0.003 | 中厚膜通用微结构、支撑件、刻蚀掩膜 |
| 工艺项目 | 1 µm 级 | 10 µm 级 |
|---|---|---|
| 基底预处理 | 200°C 烘烤 10 min | 同左 |
|
405 nm 曝光剂量
(mJ/cm²)
|
300–500 | 400–600 |
|
显影时间
(AOP-Developer.1, 1 min)
|
1 ± 0.5 | 5 ± 1 |
| 硬烘条件 | 150°C，15 min | 150°C，30 min |
随着半导体工艺不断微缩与精细化，光刻胶与基底之间的附着力已成为影响微纳结构稳定性和制造良率的关键因素。增附剂作为解决这一问题的核心材料，其性能直接决定了光刻过程的成功率和最终器件的可靠性。本报告对市场主流增附剂产品进行全面对比分析，并重点介绍我司创新产品AOP-A-010如何突破传统技术局限，为先进光刻工艺提供卓越解决方案。
| 性能指标 | HMDS | TI PRIME | AR 300-80 | AOP-A-010 |
|---|---|---|---|---|
| 增附工艺 | 起泡器+烘箱 (复杂) |
热板/烘箱 (中等) |
热板/烘箱 (中等) |
热板 (简便) |
| 化学毒性 | 有 | 低 | 无 | 无 |
| 适用胶种 | 仅正胶 | 仅正胶 | 正/负胶 | 正/负胶 |
| 气泡抑制 | 无 | 无 | 无 | 有 |
| 工艺适应性 | 常规光刻 | 常规光刻 | 常规光刻 | 常规光刻 + 双光子光刻 |
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