AOP-

AOP-

A-010 增附剂

强附着、低残留的先进化学方案

AOP-A-010 的主要成分为羟基硅烷。在旋涂到衬底表面后,其硅烷基团(-Si-OH)与衬底
表面的羟基(-OH)或反应,形成稳定的 Si-O 共价键,取代原有亲水官能团,如下图 1 所
示,这一过程在衬底表面形成一层极薄的(约 15nm)硅烷偶联层,增强了光刻胶与衬底的
化学结合力。

产品优势

增强附着力

形成稳定 Si-O 共价键，牢固附着于衬底表面，提升光刻胶附着力。

减少残留

可溶于显影液 PGMEA，显影后表面无残留，保持洁净。

热稳定性高

150~180℃ 热退火处理后，处理层稳定，不影响后续工艺。

性能验证区

红外光谱分析结果表明：
处理前样品在 3100–3600 cm⁻¹ 范围内存在明显的羟基特征峰；
而使用 AOP-A-010 处理后，羟基峰强度显著降低，
说明表面活性羟基减少，Si-O 化学键成功形成，
大幅增强光刻胶与基底的附着力。

品质验证

该数据已通过公司实验室三轮实测，真实有效，分析依据红外谱图。

方法流程

清洗基底

使用丙酮、异丙醇超声清洗，去除颗粒与油脂。

Step 1

滴涂旋涂

滴加 AOP-A-010 并以 3000rpm 旋涂 30 秒，形成增附层。

Step 2

热台退火

在 150~180℃ 热台处理 13 分钟，恢复洁净表面。

Step 3

显影处理

显影中可溶于 PGMEA，避免残留影响后续制程。

Step 4

半导体光刻增附剂市场分析与创新解决方案

随着半导体工艺不断微缩与精细化，光刻胶与基底之间的附着力已成为影响微纳结构稳定性和制造良率的关键因素。增附剂作为解决这一问题的核心材料，其性能直接决定了光刻过程的成功率和最终器件的可靠性。本报告对市场主流增附剂产品进行全面对比分析，并重点介绍我司创新产品AOP-A-010如何突破传统技术局限，为先进光刻工艺提供卓越解决方案。

传统产品

HMDS 六甲基二硅烷

  • 工作机理：与Si原子在无氧表面结合，与氧化基表面的氧原子结合，释放氨气
  • 特点：非极性甲基隔离衬底表面形成疏水表面，提供与光刻胶的良好润湿性和附着力
  • 使用方法：需通过专用”起泡器”设备，在75-120°C加热条件下操作
  • 局限性：操作复杂，具有化学毒性，仅适用于正胶

Ti Prime

  • 工作机理：钛离子在热驱动下结合羟基，提供低羟基含量的基底表面
  • 特点：基于旋涂技术，可有效改善Si或玻璃衬底的粘附性
  • 使用方法：2000-4000rpm旋涂20秒，热板120℃烘烤2分钟或烘箱130℃烘烤10分钟
  • 局限性：仍存在低毒性，仅适用于正胶

AR 300-80

  • 工作机理：形成15nm胶膜，与后续光刻胶融为一体
  • 特点：使用简单，无毒性，可用有机溶剂去除而不影响增附效果
  • 使用方法：4000rpm旋涂，热板180°C烘烤2分钟或烘箱烘烤25分钟
  • 改进版本：AR 300-80 new适用于热敏感衬底，仅需60℃烘烤
  • 局限性：不适用于双光子光刻的滴胶工艺，易在界面引入气泡导致结构问题

AOP -A-010

  • 工作机理：基于AR 300-80技术，添加专有表面能抑制剂
  • 突出优势：
    • 独特气泡抑制技术：有效解决双光子光刻滴胶过程中的气泡问题
    • 操作简便：仅需热板处理，无需复杂设备
    • 广谱兼容性：同时适用于正胶和负胶
    • 环境友好：完全无毒，符合现代半导体工艺绿色要求
    • 防止微结构变形：显著提高光刻胶-基底界面稳定性
    • 提高产品良率：减少因附着力问题导致的结构坍塌或变形
性能指标 HMDS TI PRIME AR 300-80 AOP-A-010
增附工艺 起泡器+烘箱
(复杂)		 热板/烘箱
(中等)		 热板/烘箱
(中等)		 热板
(简便)
化学毒性 有 低 无 无
适用胶种 仅正胶 仅正胶 正/负胶 正/负胶
气泡抑制 无 无 无 有
工艺适应性 常规光刻 常规光刻 常规光刻 常规光刻
+
双光子光刻