AOP-

AOP-

A-010 增附劑

強附着、低殘留的先進化學方案

AOP-A-010 的主要成分爲羥基矽烷。在旋塗到襯底表面後,其矽烷基團(-Si-OH)與襯底
表面的羥基(-OH)或反應,形成穩定的 Si-O 共價鍵,取代原有親水官能團,如下圖 1 所
示,這一過程在襯底表面形成一層極薄的(約 15nm)矽烷偶聯層,增強了光刻膠與襯底的
化學結合力。

産品優勢

增強附着力

形成穩定 Si-O 共價鍵，牢固附着於襯底表麵，提昇光刻膠附着力。

減少殘留

可溶於顯影液 PGMEA，顯影後表麵無殘留，保持潔淨。

熱穩定性高

150~180℃ 熱退火處理後，處理層穩定，不影響後續工藝。

性能驗証區

紅外光譜分析結果表明：
處理前樣品在 3100–3600 cm⁻¹ 範圍內存在明顯的羥基特徵峰；
而使用 AOP-A-010 處理後，羥基峰強度顯著降低，
説明表麵活性羥基減少，Si-O 化學鍵成功形成，
大幅增強光刻膠與基底的附着力。

品質驗証

該數據已通過公司實驗室三輪實測，真實有效，分析依據紅外譜圖。

方法流程

清洗基底

使用丙酮、異丙醇超聲清洗，去除顆粒與油脂。

Step 1

滴塗旋塗

滴加 AOP-A-010 並以 3000rpm 旋塗 30 秒，形成增附層。

Step 2

熱颱退火

在 150~180℃ 熱颱處理 13 分鐘，恢複潔淨表麵。

Step 3

顯影處理

顯影中可溶於 APGMEA，避免殘留影響後續製程。

Step 4

半導體光刻增附劑市場分析與創新解決方案

隨着半導體工藝不斷微縮與精細化，光刻膠與基底之間的附着力已成爲影響微納結構穩定性和製造良率的關鍵因素。增附劑作爲解決這一問題的核心材料，其性能直接決定了光刻過程的成功率和最終器件的可靠性。本報告對市場主流增附劑産品進行全麵對比分析，並重點介紹我司創新産品AOP-A-010如何突破傳統技術局限，爲先進光刻工藝提供卓越解決方案。

傳統産品

HMDS 六甲基二矽烷

  • 工作機理：與Si原子在無氧表麵結合，與氧化基表麵的氧原子結合，釋放氨氣
  • 特點：非極性甲基隔離襯底表麵形成疏水表麵，提供與光刻膠的良好潤溼性和附着力
  • 使用方法：需通過專用”起泡器”設備，在75-120°C加熱條件下操作
  • 局限性：操作複雜，具有化學毒性，僅適用於正膠

Ti Prime

  • 工作機理：鈦離子在熱驅動下結合羥基，提供低羥基含量的基底表麵
  • 特點：基於旋塗技術，可有效改善Si或玻璃襯底的粘附性
  • 使用方法：2000-4000rpm旋塗20秒，熱闆120℃烘烤2分鐘或烘箱130℃烘烤10分鐘
  • 局限性：仍存在低毒性，僅適用於正膠

AR 300-80

  • 工作機理：形成15nm膠膜，與後續光刻膠融爲一體
  • 特點：使用簡單，無毒性，可用有機溶劑去除而不影響增附效果
  • 使用方法：4000rpm旋塗，熱闆180°C烘烤2分鐘或烘箱烘烤25分鐘
  • 改進版本：AR 300-80 new適用於熱敏感襯底，僅需60℃烘烤
  • 局限性：不適用於雙光子光刻的滴膠工藝，易在界麵引入氣泡導緻結構問題

AOP -A-010

  • 工作機理：基於AR 300-80技術，添加專有表麵能抑製劑
  • 突出優勢：獨特氣泡抑製技術：有效解決雙光子光刻滴膠過程中的氣泡問題
  • 操作簡便：僅需熱闆處理，無需複雜設備
  • 廣譜兼容性：同時適用於正膠和負膠
  • 環境友好：完全無毒，符合現代半導體工藝綠色要求
  • 防止微結構變形：顯著提高光刻膠-基底界麵穩定性
  • 提高産品良率：減少因附着力問題導緻的結構坍塌或變形
性能指標 HMDS TI PRIME AR 300-80 AOP-A-010
增附工藝 起泡器+烘箱
(複雜)		 熱闆/烘箱
(中等)		 熱闆/烘箱
(中等)		 熱闆
(簡便)
化學毒性 有 低 無 無
適用膠種 僅正膠 僅正膠 正/負膠 正/負膠
氣泡抑製 無 無 無 有
工藝適應性 常規光刻 常規光刻 常規光刻 常規光刻
+
雙光子光刻